第十届国际第三代半导体论坛暨第二十一届中国国际半导体照明论坛（ifws&sslchina2025）于11月18日至21日在苏州成功举办。此次盛会吸引了千余位院士专家及产业链代表参会，共同探讨第三代半导体技术的最新进展及未来发展趋势。

大会于11月19日重磅发布了2025年度中国第三代半导体技术十大进展，引发广泛关注和热议。其中，广州第三代半导体创新中心取得的“6-8英寸蓝宝石基氮化镓中高压电力电子器件技术重大突破”成功入选。

☞☞☞AI 智能聊天, 问答助手, AI 智能搜索, 免费无限量使用 DeepSeek R1 模型☜☜☜

西安电子科技大学广州第三代半导体创新中心郝跃院士团队，在张进成教授和李祥东教授的带领下，攻克了6-8英寸蓝宝石基GaN电力电子器件在材料外延、器件设计、制造工艺及可靠性等方面的技术难题。 团队采用低翘曲超薄外延技术和高质量双层钝化等创新技术，成功研制出1200V和1700V高性能GaN HEMT中试产品。 经HTRB、HTGB等可靠性测试验证，该成果已应用于致能科技等企业的相关产品，有力地推动蓝宝石基GaN技术成为中高压电力电子器件领域的有力竞争者。